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News
Mobilfunk-Forschungsvorhaben "GaN-Switchmode" - Mehr...
www.innovations-report.de
... Leistungsanforderungen müssen völlig neue Verstärkerarchitekturen entwickelt und bestehende Prozesse angepasst werden", erläutert Projektleiter Dr. Joachim Würfl vom
ESREF Oral Presentations Thu
conference.vde.com
Oral Presentations Thursday ... Stephan Freyer, Paul Kurpas, Hans-Joachim Würfl Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik ...
Fast, efficient switching – thanks to HiPoSwitch
phys.org
explains Joachim Würfl, head of both the HiPoSwitch project and ...
Netzwerk-Profile
LinkedIn: Hans-Joachim Würfl - Head of Business Area GaN Electronics ...
Sehen Sie sich das Profil von Hans-Joachim Würfl auf LinkedIn an, dem weltweit größten beruflichen Netzwerk. 2 Jobs Jobs sind im Profil von Hans-Joachim ...
LinkedIn: Hans-Joachim Würfl | Berufsprofil - LinkedIn
Responsible for research and development work on GaN microwave power transistors, GaN based X-band and Q-band MMICs and GaN high voltage switching ...
LinkedIn: Hans-Joachim Würfl | LinkedIn
berufliche Netzwerk, das Fach- und Führungskräften wie Hans-Joachim Würfl ...
Interessen
Joachim Wuerfl - Patents
www.freshpatents.com
Recent bibliographic sampling of Joachim Wuerfl patents listed/published in the public domain by the USPTO (USPTO Patent Application #,Title):
Business-Profile
patentbuddy: Joachim Würfl
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V., Zeuthen, DE
Firmen-Mitarbeiter
Academic Teaching | Ferdinand-Braun-Institut
www.fbh-berlin.de
The FBH is dedicated to academic education and training of Ph.D., master, ... Joachim Würfl. TU Berlin, Faculty IV - Electrical Engineering and Computer Science
Akademische Lehre - Akademische Lehre & Bildung |...
www.fbh-berlin.de
Dr.-Ing. Joachim Würfl. TU Berlin, Fakultät IV - Elektrotechnik und Informatik Institut für Hochfrequenztechnik- und Halbleiter-Systemtechnologien
Bücher
Herstellung und Untersuchung zuverlässiger Metallkontakte auf GaAs zur Entwicklung von Hochtemperaturstabilen Halbleiterbauelementen. Vom Fachbereich Elektrische Nachrichtentechnik der Technischen Hochschule Darmstadt...genehmigte Dissertation. Mit Abb.
von Hans Joachim Würfl, Düsseldorf, VDI 1989, 1989, Taschenbuch
würfl hans joachim - ZVAB
www.zvab.com
Ing. Hans Joachim Würfl.Sulzbach/Main" (Titel, bzw. ".Darmstadt" auf Einband). * (Ein Titel aus unserem... Details anzeigen. › servlet › SearchResults
AbeBooks: AbeBooks
Hybrid-Verfahren zur Modellierung leistungselektronischer Bauelemente. Fortschritt-Berichte VDI: Reihe 21, Elektrotechnik; Nr von Göbel, Holger: und eine...
Gallium Nitride (GaN)
www.lavoisier.eu
... Eva Monroy, Ezgi Dogmus, Gaudenzio Meneghesso, Geok Ing Ng, Hsin-Ying Lee, Joachim Würfl, Keisuke Shinohara, Li-Ren Lou, Mark Beeler, Matteo Meneghini, ... › books › d...
Dokumente zum Namen
ECE499-Sp2016-tsai
de.slideshare.net
NORMALLY-OFF GAN HEMTS By Philip Tsai Senior Thesis in Electrical Engineering University of Illinois at Urbana-Champaign Advisor: Can Bayram May
Class-S Amplifier at 450 MHz Using GaN-HEMT Power Switch MMICs :...
www.degruyter.com
Nidhi Chaturvedi, / Richard Lossy, / Frank Schnieder, / Bernd Janke, / Stephan Freyer, / Hans-Joachim Würfl, / Wolfgang Heinrich, ...
EBSCOhost | | Technology and Reliability of Normally-Off...
web.a.ebscohost.com
Matteo Meneghini 1,*, Oliver Hilt 2, Joachim Wuerfl 2 and Gaudenzio Meneghesso Department of Information Engineering, University of ...
Wissenschaftliche Veröffentlichungen
US Patent for Semiconductor layer structure Patent (Patent ...
patents.justia.com
Inventors: Oliver Hilt (Schöneiche), Rimma Zhytnytska (Berlin), Hans-Joachim Würfl (Zeuthen) Primary Examiner: Timor Karimy Application Number: ,400. › patent
Veröffentlichungen allgemein
Technology and Reliability of Normally-Off GaN HEMTs with p ...
econpapers.repec.org
von M Meneghini · · Zitiert von: 101 — By Matteo Meneghini, Oliver Hilt, Joachim Wuerfl and Gaudenzio Meneghesso; Abstract: GaN-based transistors with p-GaN gate are commonly ... › ReP...
Analysis of material modifications caused by nanosecond pulsed UV...
link.springer.com
The effects of direct UV laser processing on single crystal SiC in ambient air were investigated by cross-sectional transmission electron microscopy, Auger
Analysis of material modifications caused by nanosecond ...
link.springer.com
von O Krüger · · Zitiert von: 9 — Olaf Krüger, Tim Wernicke, Joachim Würfl & Günther Tränkle. ISAS-Institute for Analytical Sciences, ... › article
Power GaN Devices | SpringerLink
link.springer.com
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most...
Sonstiges
Würfl, Joachim: 免费的Z-Library数字图书馆
zh.art1lib.com
Reliability studies on GaN HEMTs with sputtered Iridium gate module · Richard Lossy, Hervé Blanck, Joachim Würfl. 日志: Microelectronics Reliability. Richard Lossy, Hervé Blanck, Joachim Würfl. పత్రిక: Microelectronics Reliability. సంవత్సరం: భాష: english. ఫైల్: PDF, 604 KB. › ...
ESREF Tutorials
conference.vde.com
TUTORIALS. Organic Semiconductors: Novel Materials for Optoelectronic Application Selina Olthof (University Köln, GER) ... Hans-Joachim Würfl (FBH, Berlin, GER)
Drift Effects in GaN High-Voltage Power Transistors |...
www.springerprofessional.de
Drift effects in semiconductors are changing electrical device properties in dependence on their electrical, thermal and other treatments. In a
2016 Spring : Symposium L | EMRS
www.european-mrs.com
Wide bandgap semiconductors materials like GaN, SiC and Oxides have become serious alternatives for the replacement of silicon in power electronics and sensors...
4 - Materials Research Society
mrs.digitellinc.com
Instructors: Leonard Brillson, The Ohio State University, Matteo Meneghini, University of Padova, Michael Salmon, Evans Analytical Group, Joachim Würfl, ...
Neue Maßstäbe in der Mikrowellen- und Leistungselektronik
www.elektronikpraxis.vogel.de
Nitridische Halbleiterbauelemente versprechen aufgrund ihrer elektronischen Eigenschaften lukrative Märkte. Das Rennen um ideal schaltende GaN-Bauelemente auf...
High-voltage normally OFF GaN power transistors on SiC and Si...
www.cambridge.org
High-voltage normally OFF GaN power transistors on SiC and Si substrates - Volume 40 Issue 5 - Oliver Hilt, Eldad Bahat-Treidel, Arne Knauer, Frank Brunner,...
Analysis of materials modifications caused by UV laser micro ...
www.infona.pl
von T Wernicke · · Zitiert von: 15 — Joachim Würfl. Ferdinand-Braun-Institut für HöchstfrequenztechnikBerlin, Germany. see all. Keywords. › resource
Energies | Special Issue : Semiconductor Power Devices
www.mdpi.com
Energies, an international, peer-reviewed Open Access journal.
Schnell und effizient schalten – dank Hi Po Switch
www.maschinenmarkt.vogel.de
Im EU-Verbundprojekt Hi Po Switch ist es gelungen, effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter zu entwickeln. Sie sind die Basis für...
METHOD FOR PRODUCING A METALLIZATION HAVING TWO MULTIPLE ALTERNATING...
www.patentsencyclopedia.com
... and map information provided by CartoDB, OpenStreetMap and contributors, CC-BY-SA. Patent applications by Joachim Wuerfl, Zeuthen DE.
BeMiTec Berlin Microwave Technologies AG - Registration · Name ...
www.northdata.com
Dr. Günther Tränkle, Berlin (Chairman); Graduate engineer Dr. Hans-Joachim Würfl, Zeuthen (Deputy Chairman); Graduate engineer Dr. Wolfgang Heinrich, ... › ...
Power GaN Devices | springerprofessional.de
www.springerprofessional.de
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from
BeMiTec Berlin Microwave Technologies AG, Berlin
www.northdata.de
Neueintragung Sitz: Berlin Aufsichtsrat B. Heinrich Vst. Hans Joachim Würfl Förderung ( €): 7: ... › Amtsgericht+Charlottenburg...
Bauteile aus GaN - Sicht auf die Halbleitertechnologie - Conference...
www.vde-verlag.de
6. ETG-Fachtagung; Bauteile aus GaN - Sicht auf die Halbleitertechnologie
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