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Ausstellung "5. BCB und Freunde" in Berlin - www.bonsai-fachforum ...www.bonsai-fachforum.de › Allgemeines › Aktuelles
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... bisher von Andrea Melloni aus Berlin (boomki.de), Frank Hielscher und Rainer Kurps (Nord-Bonsai.de) und last-but-not-least: Von unserem Mitglied Hilly!
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LinkedIn: rainer kurps - Sachbearbeiter - Telekom | LinkedIn
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Rainer Kurps | Semantic Scholar
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Semantic Scholar profile for Rainer Kurps, with 1 scientific research papers. Skip to search form Skip to main content Skip to account menu. Semantic Scholar's Logo . Search 211,329,758 papers from all fields of science. Search. Sign In Create Free Accoun ...
Junichi Murota: search on Z-Libraryzlib-articles.se
bg.zlib-articles.se
Yuji Yamamoto, Klaus Köpke, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack. Журнал: Thin Solid Films. Година: Език: english. Файл: PDF, 499 KB.
Business-Profile
patentbuddy: Rainer Kurps
IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/ INSTITUT FUR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK, Frankfurt, DE
Bücher
Rainer Barth - Piri Keşif Aracı
kesifaraci.com
Bernd Heinemann , Holger Rucker , Rainer Barth , Jurgen Drews , Oksana Fursenko , Thomas Grabolla , Rainer Kurps , Steffen Marschmeyer , Alexander Scheit ... › ...
Official Gazette of the United States Patent and Trademark ...google.be
books.google.be
... Rainer Kurps , both of Frankfurt an der DIODE AND FOR FORMING DIODE WITH IMPROVED Oder , Germany ; Boris Romanjuk , Kiev , Ukraine ; Viktor LIFETIME ...
Official Gazette of the United States Patent and Trademark ...
books.google.com
... Andriy Goryachko , Rainer Kurps , Jing " ' iu and Hans - Jörg Osten for the invention entitled Evans , Michael Andre , Pech Rd . , Houston , TX ...
Dokumente zum Namen
The Preparation of Tetraborane and Pentaborane-11 1American Chemical Society
pubs.acs.org
von MJ Klein · · Zitiert von: 39 — Inorganic Chemistry 1968, 7 (3) , https://doi.org ic50061a003; Yuji Yamamoto, Klaus Köpke, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack.
[PDF] Influence de l'implantation du carbone sur le dopage au phosphore ...theses.hal.science › tel › document
theses.hal.science
· Heinemann, and Rainer Kurps. "Nonequilibrium point defects and dopant diffusion in carbon-rich silicon." Physical Review B (2001):
Wissenschaftliche Veröffentlichungen
Germanium thin film integration on silicon substrates via oxide ...Universität Osnabrück
osnadocs.ub.uni-osnabrueck.de
Rainer Kurps for support with surface analysis characterization; Dr. Guenter. Weidner and Dr. Markus Andreas Schubert for transmission electron microscopy.
Influence de l'implantation du carbone sur le dopage au ...Archive ouverte HAL
theses.hal.science
von P Dumas · — Heinemann, and Rainer Kurps. "Nonequilibrium point defects and dopant diffusion in carbon-rich silicon." Physical Review B (2001):
[PDF] Surfactant-modifizierte Epitaxie für Ge/Si-Heterobauelementewww.repo.uni-hannover.de › bitstream › handle
www.repo.uni-hannover.de
Herrn Dr. Rainer Kurps danke ich für die Durchführung der SIMS-Untersuchungen. Bei. Herrn Dr. Peter Zaumseil möchte ich mich für seine Ratschläge und stete ...
Sonstiges
DE B4 - Referenzprobe zur quantitativen Bestimmung ...Google
patents.google.com
Other languages: English; Inventor: Dietmar Dr. Krüger: Viktor Melnik: Rainer Kurps: Boris Prof. Romanjuk; Current Assignee.
R. Kurps's research works | IHP, Frankfurt (Oder) (Institute for...
www.researchgate.net
Rainer Kurps Bernd Tillack B Atomic layer doping (B-ALD) of Ge is investigated at temperatures between 100 degrees C and 400 degrees C using a single wafer reduced pressure CVD system.
Arsenic atomic layer doping in Si using AsH 3elsevierpure.com
tohoku.elsevierpure.com
von Y Yamamoto · · Zitiert von: 11 — Arsenic atomic layer doping in Si using AsH3. Yuji Yamamoto, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack. Tohoku University.
Effect of Ge on the P doping in Si gas-source molecular 知网研学x.cnki.net › kcms › detail › detail
x.cnki.net
Yuji Yamamoto,Bernd Tillack,Klaus Köpke,Rainer Kurps. Thin Solid Films (1); [4]Tailoring of Si doping layers in GaAs during molecular beam epitaxy[J].
Phosphorus atomic layer doping in Ge using RPCVD — Tohoku ...tohoku.pure.elsevier.com › publications › phosphor...
tohoku.pure.elsevier.com
Yuji Yamamoto, Rainer Kurps, Christian Mai, Ioan Costina, Junichi Murota, Bernd Tillack. Research output: Contribution to journal › Article › peer-review.
Phosphorus Atomic Layer Doping in Ge Using RPCVDAcademia.edu
www.academia.edu
Phosphorus Atomic Layer Doping in Ge using RPCVD Yuji Yamamoto a, Rainer Kurps a, Christian Mai a, Ioan Costina a, Junichi Murota b and Bernd Tillack a,c a ...
[특허]Formation of large grain polycrystalline filmsscienceon.kisti.re.kr › srch › selectPORSrchPatent
scienceon.kisti.re.kr
Dietmar Krueger DE; Rainer Kurps DE; Boris Romanjuk UA; Viktor Melnik UA; Jaroslav Olich UA. Method of fabricating ion implanted doping layers in ...
搜索页_+RPCVDwww.cgl.org.cn › auto › search
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作者：Yuji Yamamoto ; ; Rainer Kurps ; Christian Mai ; Ioan Costina ; Junichi Murota ; Bernd Tillack ;. 关键词：Phosphorus ; Atomic layer doping ...
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