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Autor: Rimma Zhytnytska · > findR * · > Buchhandlung findr > Verlag findr > Für Buchhändler · Messmethoden zur Druckcharakterisierung und Alterungsuntersuchung ... Autor: Rimma Zhytnytska · > findR * · > Buchhandlung findr > Verlag findr > Für Buchhändler · Messmethoden zur Druckcharakterisierung und Alterungsuntersuchung ...
Schlüsselwort: WärmeübergangswiderstandBuch findR
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Autor: Rimma Zhytnytska · > findR * · > Buchhandlung findr > Verlag findr > Für Buchhändler · Wärmeschutz · Wärmeschutz von Schild, Kai, Willems, Wolfgang. Wie ... Autor: Rimma Zhytnytska · > findR * · > Buchhandlung findr > Verlag findr > Für Buchhändler · Wärmeschutz · Wärmeschutz von Schild, Kai, Willems, Wolfgang. Wie ...
Innovative Transistorchips für SatellitenK-Messe
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Mehr Leistung pro Fläche - NewsTechnologiepark Adlershof
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Netzwerk-Profile
LinkedIn: Rimma ZhytnytskaLinkedIn · Rimma Zhytnytska10+ Reaktionen · vor 1 Jahr
Beitrag von Rimma Zhytnytska. Profil von Rimma Zhytnytska anzeigen, Grafik. Rimma Zhytnytska. Experte für AVT bei HELLA. 1 Jahr. Diesen Beitrag ... Beitrag von Rimma Zhytnytska. Profil von Rimma Zhytnytska anzeigen, Grafik. Rimma Zhytnytska. Experte für AVT bei HELLA. 1 Jahr. Diesen Beitrag ...
LinkedIn: Rimma Zhytnytska | LinkedIn
Rimma Zhytnytskas berufliches Profil anzeigen LinkedIn ist das weltweit größte berufliche Netzwerk, das Fach- und Führungskräften wie Rimma Zhytnytska ...
Interessen
GaN-based normally-off high power switching transistor for ...CORDIS
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... Rimma Zhytnytska Pubblicato in: The Electrochemical Society ID permanente: Digital Object Identifier: ecst. Control of Threshold Rimma Zhytnytska Pubblicato in: The Electrochemical Society ID permanente: Digital Object Identifier: ecst. Control of Threshold ...
Ukraine Club mit familia PERKALABA (live) & DJ Apofisalipsis
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An alle Fans des Baikal Styles Dieses Konzert MÜSST ihr sehen familia PERKALABA die großartige Band aus den ukrainischen Ka...
Business-Profile
Xing: Rimma Zhytnytska - Experte für AufbauXING
Rimma Zhytnytska, Berlin Berufserfahrung, Kontaktdaten, Portfolio und weitere Infos: Erfahr mehr – oder kontaktier Rimma Zhytnytska direkt bei XING. Rimma Zhytnytska, Berlin Berufserfahrung, Kontaktdaten, Portfolio und weitere Infos: Erfahr mehr – oder kontaktier Rimma Zhytnytska direkt bei XING.
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FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V., Berlin, DE
Rimma ZHYTNYTSKA | Ferdinand-Braun-Institut, Berlin | FBH -...
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Rimma Zhytnytska GaN based power devices for high efficiency switching applications in modern power electronics are rapidly moving into the focus of world wide research and development activities.
Ausbildung
Power Semiconductor Devices & IC's, International ...Scholars Portal Journals
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Rimma Zhytnytska · Jan Bocker · Eldad Bahat-Treidel · ORCID ID · Frank Brunner · Arne Knauer · Sibylle Dieckerhoff · Joachim Wurfl. Source Information. May Rimma Zhytnytska · Jan Bocker · Eldad Bahat-Treidel · ORCID ID · Frank Brunner · Arne Knauer · Sibylle Dieckerhoff · Joachim Wurfl. Source Information. May
Breakdown and dynamic effects in GaN power switching devices |...
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Joachim Würfl · Oliver Hilt · Eldad Bahat‐Treidel · Rimma Zhytnytska · Przemyslaw Kotara · Olaf Krüger · Frank Brunner · Markus Weyers ... › ...
Improved Vertical Isolation for Normally-Off High Voltage GaN ...
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Oliver Hilt · Przemyslaw Kotara · Frank Brunner · Arne Knauer · Rimma Zhytnytska · Joachim Wurfl ... › ...
Bücher
adlibris.com: gan gan - tyskaAdlibris
av Rimma Zhytnytska. häftad, 2021, Tyska, ISBN häftad kr. Visa alla format. Sappho, Alkaios, Anakreon. inbunden ... av Rimma Zhytnytska. häftad, 2021, Tyska, ISBN häftad kr. Visa alla format. Sappho, Alkaios, Anakreon. inbunden ...
Optimierung von koplanaren GaN-MMIC ...Bücher.de
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Rimma Zhytnytska. Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen. 69,48 €. Rimma Zhytnytska. Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen. 69,48 €. 39,90 €
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische ...google.co.uk
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Rimma Zhytnytska. Fall durch die Eigenschaften der Barriere in Kombination mit der Pufferschicht defiǦniert. Fur den untersuchten Puffer mit CǦDotierung ...
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische ...Google Books
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Author, Rimma Zhytnytska ; Publisher, Cuvillier Verlag, ; ISBN; Length, 182 pages. Author, Rimma Zhytnytska ; Publisher, Cuvillier Verlag, ; ISBN; Length, 182 pages.
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Rimma Zhytnytska: Design von GaN Transistoren für ...
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Rimma Zhytnytska. 0 Seguidores. Seguindo Seguir. Parar de bloquear usuário Bloquear usuário. Atividades; Sobre. Gostaram. (3). Internal Thermal ... Rimma Zhytnytska. 0 Seguidores. Seguindo Seguir. Parar de bloquear usuário Bloquear usuário. Atividades; Sobre. Gostaram. (3). Internal Thermal ...
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Rimma Zhytnytska. 0 Followers. Following Follow. Unblock User Block User. Activity; About. Likes. (3). Internal Thermal Resistance of LEDs: LED ... Rimma Zhytnytska. 0 Followers. Following Follow. Unblock User Block User. Activity; About. Likes. (3). Internal Thermal Resistance of LEDs: LED ...
Breakdown and dynamic effects in GaN power switching ...Wiley Online Library
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von J Würfl · · Zitiert von: 7 — Rimma Zhytnytska,. Rimma Zhytnytska. Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnikvon J Würfl · · Zitiert von: 7 — Rimma Zhytnytska,. Rimma Zhytnytska. Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
(PDF) Bahat Treidel Eldadpdfslide.tips
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... Rimma Zhytnytska,. Nidhi Chaturvedi, Paul Kurpas, Sergey Shevchenko, Eunjung Melanie Cho, Yasemin. Cankatan, Przemyslaw Kotara, Chung-Yu Lu and Claudia Rimma Zhytnytska,. Nidhi Chaturvedi, Paul Kurpas, Sergey Shevchenko, Eunjung Melanie Cho, Yasemin. Cankatan, Przemyslaw Kotara, Chung-Yu Lu and Claudia ...
Wissenschaftliche Veröffentlichungen
(Invited) Technological Approaches Towards High Voltage ...IOPscience
iopscience.iop.org
von J Würfl · · Zitiert von: 21 — (Invited) Technological Approaches Towards High Voltage, Fast Switching GaN Power Transistors, Joachim Würfl, Oliver Hilt, Eldad Bahat-Treidel, Rimma Zhytnytska von J Würfl · · Zitiert von: 21 — (Invited) Technological Approaches Towards High Voltage, Fast Switching GaN Power Transistors, Joachim Würfl, Oliver Hilt, Eldad Bahat-Treidel, Rimma Zhytnytska
S. SingwaldDBLP
dblp.org
, Rimma Zhytnytska: Reliability issues of GaN based high voltage power devices. Microelectron. Reliab. 51(9-11): (2011). [+][–]. Coauthor network. , Rimma Zhytnytska: Reliability issues of GaN based high voltage power devices. Microelectron. Reliab. 51(9-11): (2011). [+][–]. Coauthor network.
Markus WeyersDBLP
dblp.org
— , Rimma Zhytnytska: Reliability issues of GaN based high voltage power devices. Microelectron. Reliab. 51(9-11): (2011). [+] — , Rimma Zhytnytska: Reliability issues of GaN based high voltage power devices. Microelectron. Reliab. 51(9-11): (2011). [+] ...
Normally-Off GaN Transistors for Power Switching Applicationsiopscience.iop.org › article › meta
iopscience.iop.org
Oliver Hilt · Eldad Bahat-Treidel · Frank Brunner · Arne Knauer · Rimma Zhytnytska · Przemyslaw Kotara · Joachim Wuerfl ...
Veröffentlichungen allgemein
ajanthkrishna velauthapillaiCORE
core.ac.uk
... Rimma Zhytnytska, Andreas Went- zel, Chafik Meliani, Joachim Wurfl, and Günther Trankle. Fast- switching gan-based lateral power schottky barrier diodes Rimma Zhytnytska, Andreas Went- zel, Chafik Meliani, Joachim Wurfl, and Günther Trankle. Fast- switching gan-based lateral power schottky barrier diodes ...
(Invited) Technological Approaches Towards High Voltage ...ResearchGate
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Rimma Zhytnytska. High voltage GaN based transistors already showed promising device properties which makes them very attractive for future ... Rimma Zhytnytska. High voltage GaN based transistors already showed promising device properties which makes them very attractive for future ...
Impact of the buffer structure on trapping characteristics ...ResearchGate
www.researchgate.net
Rimma Zhytnytska at Ferdinand-Braun-Institut · Rimma Zhytnytska · Ferdinand-Braun-Institut. Show all 9 authorsHide. Request Full-text Paper PDF. Request full Rimma Zhytnytska at Ferdinand-Braun-Institut · Rimma Zhytnytska · Ferdinand-Braun-Institut. Show all 9 authorsHide. Request Full-text Paper PDF. Request full- ...
High-voltage normally OFF GaN power transistors on SiC and Si...
link.springer.com
Transistors with 600 V blocking capability and low switching losses are needed for converting one-phase 230 V mains voltage to lower voltage levels in swit
Sonstiges
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische ...Medimops
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... dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik) von Rimma Zhytnytska Taschenbuch bei medimops.de bestellen. Gebraucht & günstig kaufen bei medimops dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik) von Rimma Zhytnytska Taschenbuch bei medimops.de bestellen. Gebraucht & günstig kaufen bei medimops.
224th ECS Meeting (October November 1, 2013)The Conference Exchange
ecs.confex.com
... Rimma Zhytnytska, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik; Przemyslaw Kotara, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik; Joachim Wuerfl, Leibniz Rimma Zhytnytska, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik; Przemyslaw Kotara, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik; Joachim Wuerfl, Leibniz ...
70 mΩ/600 V normally-off GaN transistors on SiC and Si ...Semantic Scholar
www.semanticscholar.org
... Rimma Zhytnytska and Jan Bocker and Eldad Bahat Treidel and Frank Brunner and Arne Knauer and Sibylle Dieckerhoff and J. Wurfl}, journal={2015 IEEE 27th Rimma Zhytnytska and Jan Bocker and Eldad Bahat Treidel and Frank Brunner and Arne Knauer and Sibylle Dieckerhoff and J. Wurfl}, journal={2015 IEEE 27th ...
Bauteile aus GaN Sicht auf die HalbleitertechnologieDocPlayer.org
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Bauteile aus GaN Sicht auf die Halbleitertechnologie Oliver Hilt, Eldad Bahat-Treidel, Rimma Zhytnytska, Przemyslaw Kotara und Joachim Würfl - Ferdinand ... Bauteile aus GaN Sicht auf die Halbleitertechnologie Oliver Hilt, Eldad Bahat-Treidel, Rimma Zhytnytska, Przemyslaw Kotara und Joachim Würfl - Ferdinand ...
A Physics Based Analytical Model for the Threshold ...AI Chat for scientific PDFs | SciSpace
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Oliver Hilt,Rimma Zhytnytska,Jan Bocker,Eldad Bahat-Treidel,Frank Brunner,Arne Knauer,Sibylle Dieckerhoff,Joachim Würfl +7 moreFerdinand-Braun-Institut ... Oliver Hilt,Rimma Zhytnytska,Jan Bocker,Eldad Bahat-Treidel,Frank Brunner,Arne Knauer,Sibylle Dieckerhoff,Joachim Würfl +7 moreFerdinand-Braun-Institut ...
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische ...University of St. Thomas
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– Responsibility: Rimma Zhytnytska. – Responsibility: Rimma Zhytnytska. more hide. Show All Show Less. Edition. 1st ed. 1st ed. – Responsibility: Rimma Zhytnytska. – Responsibility: Rimma Zhytnytska. more hide. Show All Show Less. Edition. 1st ed. 1st ed.
DissertationenFerdinand-Braun-Institut
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Göttingen: Cuvillier Verlag, Band 59, ISBN Rimma Zhytnytska Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen Zugl ... Göttingen: Cuvillier Verlag, Band 59, ISBN Rimma Zhytnytska Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen Zugl ...
Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz ...Ex Libris
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Kartonierter Einband Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen von Rimma Zhytnytska ... Rimma Zhytnytska. Tags. #3d-Em Simulations, #3d Kartonierter Einband Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen von Rimma Zhytnytska ... Rimma Zhytnytska. Tags. #3d-Em Simulations, #3d ,60 CHF
High-voltage normally OFF GaN power transistors on SiC and ...CiNii
cir.nii.ac.jp
von O Hilt · · Zitiert von: 42 — Rimma Zhytnytska · Joachim Würfl. 抄録. Abstract
Gaudenzio Meneghesso | Scholar Profiles and RankingsScholarGPS
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Rimma Zhytnytska (1). Rita Rooyackers (1). Riyaz Abdul Khadar (1). Robert Mertens (1). Roberta Bertani (1). Roberto Annunziata (1). Roberto Bez (1). Roberto ... Rimma Zhytnytska (1). Rita Rooyackers (1). Riyaz Abdul Khadar (1). Robert Mertens (1). Roberta Bertani (1). Roberto Annunziata (1). Roberto Bez (1). Roberto ...
Jednostka: Politechnika Wrocławska DONA ID: Politechnika Wrocławska
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by Rimma Zhytnytska, Przemyslaw Kotara, Joachim Würfl. Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, cop s by Rimma Zhytnytska, Przemyslaw Kotara, Joachim Würfl. Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, cop s
Improvement of drain current of AlGaN/GaN-HEMT through ...Academia.edu
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... Rimma Zhytnytska, and Joachim Würfl,” Improved Vertical Isolation for Normally-Off HighVoltage GaN-HFETs on n-SiC Substrates,” IEEE Trans. Electron Devices Rimma Zhytnytska, and Joachim Würfl,” Improved Vertical Isolation for Normally-Off HighVoltage GaN-HFETs on n-SiC Substrates,” IEEE Trans. Electron Devices ...
Joachim Wuerfl - 中国教育图书进出口有限公司socolar.com
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Rimma Zhytnytska [1]; Shivanshu Mishra [1]; 收起. 来源出版物. ECS Transactions [1]; Energies [1]; Sensors and Actuators A: Physical [1]. 出版社. Elsevier ... Rimma Zhytnytska [1]; Shivanshu Mishra [1]; 收起. 来源出版物. ECS Transactions [1]; Energies [1]; Sensors and Actuators A: Physical [1]. 出版社. Elsevier ...
Measuring Holding Voltage Related to Homogeneous ...AI Chat for scientific PDFs
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Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applications · Clément Fleury,Rimma Zhytnytska,Sergey ... Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applications · Clément Fleury,Rimma Zhytnytska,Sergey ...
How do you know if transistor is on or off? | 9 Answers from ...AI Chat for scientific PDFs
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AH — ... Rimma Zhytnytska, Joachim Würfl - Show less +5 more. 30 Apr Mrs Bulletin. 37 Citations. Additionally, any switching losses inside the AH — ... Rimma Zhytnytska, Joachim Würfl - Show less +5 more. 30 Apr Mrs Bulletin. 37 Citations. Additionally, any switching losses inside the Antworten · Top-Antwort: The measurement accuracy is improved by clamping the off-state voltage across the transistor ...
Staff View: Transistoren für Verstärker- und Schalter-AnwendungenÖsterreichische Akademie der Wissenschaften
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Design von GaN Transistoren fur leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska. by: Zhytnytska, Rimma, Published: ([2021]); Der Niederfrequenz ... Design von GaN Transistoren fur leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska. by: Zhytnytska, Rimma, Published: ([2021]); Der Niederfrequenz ...
Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN ...infona.pl
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Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applications. Clément Fleury, Rimma Zhytnytska, ... Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN HEMTs on SiC and Si substrates for power applications. Clément Fleury, Rimma Zhytnytska, ...
Statistics and localisation of vertical breakdown in AlGaN/GaN ...infona.pl
www.infona.pl
Rimma Zhytnytska. Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Berlin, Germany. Sergey ... Rimma Zhytnytska. Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Berlin, Germany. Sergey ...
Techniques towards GaN power transistors with improved ...Semantic Scholar
www.semanticscholar.org
Wurfl and Oliver Hilt and Eldad Bahat Treidel and Rimma Zhytnytska and Przemyslaw Kotara and Frank Brunner and Olaf Krueger and Markus Weyers}, journal ... Wurfl and Oliver Hilt and Eldad Bahat Treidel and Rimma Zhytnytska and Przemyslaw Kotara and Frank Brunner and Olaf Krueger and Markus Weyers}, journal ...
Normally-Off GaN Transistors for Power Switching ...X-MOL
www.x-mol.com
AH — ... Rimma Zhytnytska 1 , Przemyslaw Kotara 1 , Joachim Wuerfl 1. Affiliation. Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Normally-off high AH — ... Rimma Zhytnytska 1 , Przemyslaw Kotara 1 , Joachim Wuerfl 1. Affiliation. Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Normally-off high ...
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