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Ausgabe März 2020
www.mikroelektronik.fraunhofer.de
»Dadurch konnten wir den Gate-Leckstrom um mehr als den Faktor reduzieren. Die ersten hergestellten MOSHEMTs demonstrieren ein sehr hohes Entwicklungspotential, während die bestehenden Feldeffekttransistor-Technologien bereits ihr Limit erreicht haben«, berichtet Dr. Axel Tessmann, ebenfalls Forscher am Fraunhofer IAF.
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Dr.-Ing. Axel Tessmann. Project Manager Freiburg. Phone +
Fraunhofer IAF reports record 640GHz InGaAs MOSHEMT ...Semiconductor Today
www.semiconductor-today.com
— “This enables us to reduce the gate leakage current by a factor of more than 1000,” says Fraunhofer IAF researcher Dr Axel Tessmann.
Oxid statt Schottky-Barriere | pro-physik.de
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— ... während die bestehenden Feldeffekttransistor-Technologien bereits ihr Limit erreicht haben“, berichtet Axel Tessmann vom Fraunhofer-IAF. › nachrichten › oxid-statt-sc...
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