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Hybrid Beam-Steering OFDM-MIMO Radar: High 3-D ...X-MOL
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Schneider , Markus Rosch , Axel Tessmann , Thomas Zwick. We report on the realization of a multichannel imaging radar that achieves uniform 2-D cross-range ... Schneider , Markus Rosch , Axel Tessmann , Thomas Zwick. We report on the realization of a multichannel imaging radar that achieves uniform 2-D cross-range ...
ELUTIONS INH. AXEL TESSMANN - Einzelhandel, Grosshandel ...da-dk.nearfinderde.com › ... › Burgdorf
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Ausgabe März 2020
www.mikroelektronik.fraunhofer.de
»Dadurch konnten wir den Gate-Leckstrom um mehr als den Faktor reduzieren. Die ersten hergestellten MOSHEMTs demonstrieren ein sehr hohes Entwicklungspotential, während die bestehenden Feldeffekttransistor-Technologien bereits ihr Limit erreicht haben«, berichtet Dr. Axel Tessmann, ebenfalls Forscher am Fraunhofer IAF.
Fast internet anytime and anywhere - Fraunhofer IAF
www.iaf.fraunhofer.de
Dr.-Ing. Axel Tessmann. Project Manager Freiburg. Phone +
Fraunhofer IAF reports record 640GHz InGaAs MOSHEMT ...Semiconductor Today
www.semiconductor-today.com
— “This enables us to reduce the gate leakage current by a factor of more than 1000,” says Fraunhofer IAF researcher Dr Axel Tessmann.
MOSHEMT - innovative transistor technology reaches record frequencies
www.nanowerk.com
Researchers have succeeded in developing a novel type of transistor with …ely high cut-off frequencies: metal oxide semiconductor HEMTs, in short MOSHEMTs.
Oxid statt Schottky-Barriere | pro-physik.de
www.pro-physik.de
— ... während die bestehenden Feldeffekttransistor-Technologien bereits ihr Limit erreicht haben“, berichtet Axel Tessmann vom Fraunhofer-IAF. › nachrichten › oxid-statt-sc...
Transistor technology reaches record frequencies
www.electronicsonline.net.au
— “This enables us to reduce the gate leakage current by a factor of more than 1000,” said Dr Axel Tessmann, a scientist at Fraunhofer IAF. › ...
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